Disponível: 57718
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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão C2M0045170D
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 18mA |
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Vgs (Max) | +25V, -10V |
Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-247-3 |
Série | C2M™ |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 70 mOhm @ 50A, 20V |
Dissipação de energia (Max) | 520W (Tc) |
Embalagem | Tube |
Caixa / Gabinete | TO-247-3 |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Not Applicable |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 26 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3672pF @ 1kV |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 188nC @ 20V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 20V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 1700V |
Descrição detalhada | N-Channel 1700V 72A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 72A (Tc) |