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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão TK100L60W,VQ
VGS (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 5mA |
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Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-3P(L) |
Série | DTMOSIV |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 18 mOhm @ 50A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 797W (Tc) |
Embalagem | Tube |
Caixa / Gabinete | TO-3PL |
Outros nomes | TK100L60W,VQ(O TK100L60WVQ |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 15000pF @ 30V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 360nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | Super Junction |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 600V |
Descrição detalhada | N-Channel 600V 100A (Ta) 797W (Tc) Through Hole TO-3P(L) |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 100A (Ta) |