A etiqueta e a marcação corporal do IXFT60N65X2HV podem ser fornecidas após o pedido.
Disponível: 56602
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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão IXFT60N65X2HV
VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
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Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-268HV |
Série | HiPerFET™ |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 52 mOhm @ 30A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 780W (Tc) |
Caixa / Gabinete | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 24 Weeks |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6300pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 108nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 650V |
Descrição detalhada | N-Channel 650V 60A (Tc) 780W (Tc) Surface Mount TO-268HV |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |