Disponível: 59225
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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão FQB9P25TM
VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | D²PAK (TO-263AB) |
Série | QFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 620 mOhm @ 4.7A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 3.13W (Ta), 120W (Tc) |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Outros nomes | FQB9P25TM-ND FQB9P25TMTR |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1180pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Tipo FET | P-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 250V |
Descrição detalhada | P-Channel 250V 9.4A (Tc) 3.13W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 9.4A (Tc) |