Disponível: 999
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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão IXFN360N10T
VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | SOT-227B |
Série | HiPerFET™ |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 2.6 mOhm @ 180A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 830W (Tc) |
Embalagem | Tube |
Caixa / Gabinete | SOT-227-4, miniBLOC |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 24 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 36000pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 505nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 100V |
Descrição detalhada | N-Channel 100V 360A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 360A (Tc) |