A etiqueta e a marcação corporal do IXFL80N50Q2 podem ser fornecidas após o pedido.
Disponível: 57888
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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão IXFL80N50Q2
VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
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Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | ISOPLUS264™ |
Série | HiPerFET™ |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 66 mOhm @ 40A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 625W (Tc) |
Embalagem | Tube |
Caixa / Gabinete | ISOPLUS264™ |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 10500pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 500V |
Descrição detalhada | N-Channel 500V 55A (Tc) 625W (Tc) Through Hole ISOPLUS264™ |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 55A (Tc) |