Disponível: 52925
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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão SI3464DV-T1-GE3
VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±8V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | 6-TSOP |
Série | TrenchFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V |
Dissipação de energia (Max) | 2W (Ta), 3.6W (Tc) |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Outros nomes | SI3464DV-T1-GE3TR SI3464DVT1GE3 |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 27 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1065pF @ 10V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 5V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 1.8V, 4.5V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 20V |
Descrição detalhada | N-Channel 20V 8A (Tc) 2W (Ta), 3.6W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |