Disponível: 59760
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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão SUP85N10-10-GE3
VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-220AB |
Série | TrenchFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 10.5 mOhm @ 30A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 3.75W (Ta), 250W (Tc) |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | TO-220-3 |
Outros nomes | SUP85N10-10-GE3-ND SUP85N10-10-GE3TR |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 33 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6550pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4.5V, 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 100V |
Descrição detalhada | N-Channel 100V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc) Through Hole TO-220AB |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 85A (Tc) |