Disponível: 50337
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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão SI6467BDQ-T1-GE3
VGS (th) (Max) @ Id | 850mV @ 450µA |
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Vgs (Max) | ±8V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | 8-TSSOP |
Série | TrenchFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 12.5 mOhm @ 8A, 4.5V |
Dissipação de energia (Max) | 1.05W (Ta) |
Embalagem | Cut Tape (CT) |
Caixa / Gabinete | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Outros nomes | SI6467BDQ-T1-GE3CT |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 4.5V |
Tipo FET | P-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 1.8V, 4.5V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 12V |
Descrição detalhada | P-Channel 12V 6.8A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 6.8A (Ta) |