A etiqueta e a marcação corporal do SI5920DC-T1-GE3 podem ser fornecidas após o pedido.
Disponível: 53402
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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão SI5920DC-T1-GE3
VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
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Embalagem do dispositivo fornecedor | 1206-8 ChipFET™ |
Série | TrenchFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 32 mOhm @ 6.8A, 4.5V |
Power - Max | 3.12W |
Embalagem | Cut Tape (CT) |
Caixa / Gabinete | 8-SMD, Flat Lead |
Outros nomes | SI5920DC-T1-GE3CT SI5920DCT1GE3 |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 4V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 8V |
Descrição detalhada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 8V 4A 3.12W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 4A |
Número da peça base | SI5920 |