Disponível: 53963
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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão APT75M50B2
VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
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Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | T-MAX™ |
Série | - |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 75 mOhm @ 37A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 1040W (Tc) |
Embalagem | Tube |
Caixa / Gabinete | TO-247-3 Variant |
Outros nomes | APT75M50B2MI APT75M50B2MI-ND |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 11600pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 290nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 500V |
Descrição detalhada | N-Channel 500V 75A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |