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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão BSM080D12P2C008
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 13.2mA |
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Embalagem do dispositivo fornecedor | Module |
Série | - |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | - |
Power - Max | 600W |
Embalagem | Tray |
Caixa / Gabinete | Module |
Temperatura de operação | 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 32 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 10V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Silicon Carbide (SiC) |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Descrição detalhada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 80A (Tc) 600W Chassis Mount Module |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |