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Disponível: 361
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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão TK17E80W,S1X
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 850µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-220 |
Série | DTMOSIV |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 290 mOhm @ 8.5A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 180W (Tc) |
Embalagem | Tube |
Caixa / Gabinete | TO-220-3 |
Outros nomes | TK17E80W,S1X(S TK17E80WS1X |
Temperatura de operação | 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2050pF @ 300V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 800V |
Descrição detalhada | N-Channel 800V 17A (Ta) 180W (Tc) Through Hole TO-220 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 17A (Ta) |