Disponível: 51872
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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão IPD30N08S2L21ATMA1
VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 80µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | PG-TO252-3 |
Série | OptiMOS™ |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 20.5 mOhm @ 25A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 136W (Tc) |
Embalagem | Cut Tape (CT) |
Caixa / Gabinete | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Outros nomes | IPD30N08S2L-21CT IPD30N08S2L-21CT-ND IPD30N08S2L21ATMA1CT |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1650pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4.5V, 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 75V |
Descrição detalhada | N-Channel 75V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |