Disponível: 55866
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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão RS1E200BNTB
VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | 8-HSOP |
Série | - |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 3.9 mOhm @ 20A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 3W (Ta), 25W (Tc) |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | 8-PowerTDFN |
Outros nomes | RS1E200BNTBTR |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 40 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 15V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4.5V, 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 30V |
Descrição detalhada | N-Channel 30V 20A (Ta) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta) |