Disponível: 59662
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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão IRFD9210PBF
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Série | - |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 3 Ohm @ 240mA, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 1W (Ta) |
Embalagem | Tube |
Caixa / Gabinete | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Outros nomes | *IRFD9210PBF |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 16 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 8.9nC @ 10V |
Tipo FET | P-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 200V |
Descrição detalhada | P-Channel 200V 400mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 400mA (Ta) |