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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão IPP80R1K4P7XKSA1
VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 70µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | PG-TO-220-3 |
Série | CoolMOS™ |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 1.4 Ohm @ 1.4A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 32W (Tc) |
Embalagem | Tube |
Caixa / Gabinete | TO-220-3 |
Outros nomes | SP001422718 |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 500V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | Super Junction |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 800V |
Descrição detalhada | N-Channel 800V 4A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |