CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - matrizesSI9945BDY-T1-GE3
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SI9945BDY-T1-GE3
- Mega fonte #: MEGA-SI9945BDY-T1-GE3
- Fabricante: Electro-Films (EFI) / Vishay
- Embalagem: Tape & Reel (TR)
- Descrição: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
- ROHS compatível: Sem chumbo / acordo com RoHS
- Datasheet:
Nossa certificação
Inquérito Rápido
Disponível: 59690
Descrição do produto
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Especificações
Componentes de circuito integrado de embalagem padrão SI9945BDY-T1-GE3
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Embalagem do dispositivo fornecedor | 8-SO |
| Série | TrenchFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 58 mOhm @ 4.3A, 10V |
| Power - Max | 3.1W |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Outros nomes | SI9945BDY-T1-GE3-ND SI9945BDY-T1-GE3TR SI9945BDYT1GE3 |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 33 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 665pF @ 15V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 60V |
| Descrição detalhada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SO |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 5.3A |
| Número da peça base | SI9945 |
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SI9945BDY-T1-GE3 FAQ
- FNossos produtos de boa qualidade são?Existe garantia de qualidade?
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Remessa
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Leitura do comprador
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