Disponível: 250
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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão TP90H180PS
VGS (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 500µA |
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Vgs (Max) | ±18V |
Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-220AB |
Série | - |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 205 mOhm @ 10A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 78W (Tc) |
Embalagem | Tube |
Caixa / Gabinete | TO-220-3 |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 3 (168 Hours) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 8 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 780pF @ 600V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 8V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 900V |
Descrição detalhada | N-Channel 900V 15A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |