A etiqueta e a marcação corporal do CSD25211W1015 podem ser fornecidas após o pedido.
Disponível: 59315
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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão CSD25211W1015
VGS (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
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Vgs (Max) | -6V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | 6-DSBGA (1x1.5) |
Série | NexFET™ |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 33 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Dissipação de energia (Max) | 1W (Ta) |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | 6-UFBGA, DSBGA |
Outros nomes | 296-36578-2 CSD25211W1015-ND |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 10V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 4.1nC @ 4.5V |
Tipo FET | P-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 2.5V, 4.5V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 20V |
Descrição detalhada | P-Channel 20V 3.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5) |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Ta) |