Disponível: 52750
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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão SIR172DP-T1-GE3
VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | PowerPAK® SO-8 |
Série | TrenchFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 8.9 mOhm @ 16.1A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 29.8W (Tc) |
Embalagem | Cut Tape (CT) |
Caixa / Gabinete | PowerPAK® SO-8 |
Outros nomes | SIR172DP-T1-GE3CT |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 997pF @ 15V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4.5V, 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 30V |
Descrição detalhada | N-Channel 30V 20A (Tc) 29.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |