A etiqueta e a marcação corporal do MB85R256GPF-G-BNDE1 podem ser fornecidas após o pedido.
Disponível: 54794
Estamos distribuidores de MB85R256GPF-G-BNDE1 com preço muito competitivo.Confira o MB85R256GPF-G-BNDE1 mais novo PIRCE, inventário e tempo de entrega agora usando o formulário RFQ Quick.Nosso compromisso com a qualidade e a autenticidade do MB85R256GPF-G-BNDE1 é inabalável e implementamos processos rigorosos de inspeção e entrega de qualidade para garantir a integridade do MB85R256GPF-G-BNDE1.Você também pode encontrar a folha de dados MB85R256GPF-G-BNDE1 aqui.
Componentes de circuito integrado de embalagem padrão MB85R256GPF-G-BNDE1
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página | 150ns |
---|---|
Tensão - Fornecimento | 2.7 V ~ 3.6 V |
Tecnologia | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Série | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 3 (168 Hours) |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Tamanho da memória | 256Kb (32K x 8) |
Interface de memória | Parallel |
Formato de memória | FRAM |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descrição detalhada | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 150ns |
Tempo de acesso | 150ns |