Disponível: 58625
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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão STH315N10F7-6
VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | H2PAK-6 |
Série | DeepGATE™, STripFET™ VII |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 2.3 mOhm @ 60A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 315W (Tc) |
Embalagem | Cut Tape (CT) |
Caixa / Gabinete | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Outros nomes | 497-14719-1 |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 38 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 12800pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 100V |
Descrição detalhada | N-Channel 100V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-6 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |