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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão LSIC1MO120E0120
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 7mA |
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Vgs (Max) | +22V, -6V |
Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-247-3 |
Série | - |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 150 mOhm @ 14A, 20V |
Dissipação de energia (Max) | 139W (Tc) |
Embalagem | Tube |
Caixa / Gabinete | TO-247-3 |
Outros nomes | F11004 |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 29 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1125pF @ 800V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 20V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 20V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 1200V |
Descrição detalhada | N-Channel 1200V 27A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 27A (Tc) |