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Disponível: 52865
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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão PHM12NQ20T,518
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | 8-HVSON (6x5) |
Série | TrenchMOS™ |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 130 mOhm @ 12A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 62.5W (Tc) |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | 8-VDFN Exposed Pad |
Outros nomes | 934057302518 PHM12NQ20T /T3 PHM12NQ20T /T3-ND |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1230pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 5V, 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 200V |
Descrição detalhada | N-Channel 200V 14.4A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount 8-HVSON (6x5) |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 14.4A (Tc) |