Disponível: 159
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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão SPW32N50C3FKSA1
VGS (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1.8mA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | PG-TO247-3 |
Série | CoolMOS™ |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 110 mOhm @ 20A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 284W (Tc) |
Embalagem | Tube |
Caixa / Gabinete | TO-247-3 |
Outros nomes | SP000014625 SPW32N50C3 SPW32N50C3-ND SPW32N50C3IN SPW32N50C3IN-ND SPW32N50C3X SPW32N50C3XK |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 560V |
Descrição detalhada | N-Channel 560V 32A (Tc) 284W (Tc) Through Hole PG-TO247-3 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 32A (Tc) |