A etiqueta e a marcação corporal do DF11MR12W1M1B11BOMA1 podem ser fornecidas após o pedido.
Disponível: 50563
Estamos distribuidores de DF11MR12W1M1B11BOMA1 com preço muito competitivo.Confira o DF11MR12W1M1B11BOMA1 mais novo PIRCE, inventário e tempo de entrega agora usando o formulário RFQ Quick.Nosso compromisso com a qualidade e a autenticidade do DF11MR12W1M1B11BOMA1 é inabalável e implementamos processos rigorosos de inspeção e entrega de qualidade para garantir a integridade do DF11MR12W1M1B11BOMA1.Você também pode encontrar a folha de dados DF11MR12W1M1B11BOMA1 aqui.
Componentes de circuito integrado de embalagem padrão DF11MR12W1M1B11BOMA1
VGS (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 20mA |
---|---|
Embalagem do dispositivo fornecedor | Module |
Série | CoolSiC™ |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 23 mOhm @ 50A, 15V |
Power - Max | 20mW |
Caixa / Gabinete | Module |
Outros nomes | SP001602238 |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3950pF @ 800V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 5V |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Silicon Carbide (SiC) |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Descrição detalhada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 50A 20mW Chassis Mount Module |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 50A |