A etiqueta e a marcação corporal do IXFJ40N30Q podem ser fornecidas após o pedido.
Disponível: 52302
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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão IXFJ40N30Q
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-268 |
Série | HiPerFET™ |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 80 mOhm @ 20A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 300W (Tc) |
Caixa / Gabinete | TO-220-3, Short Tab |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 300V |
Descrição detalhada | N-Channel 300V 40A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-268 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |