Disponível: 52668
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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão IRF7759L2TR1PBF
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | DIRECTFET L8 |
Série | HEXFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 2.3 mOhm @ 96A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 3.3W (Ta), 125W (Tc) |
Embalagem | Cut Tape (CT) |
Caixa / Gabinete | DirectFET™ Isometric L8 |
Outros nomes | IRF7759L2TR1PBFCT |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 12222pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 75V |
Descrição detalhada | N-Channel 75V 26A (Ta), 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L8 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 26A (Ta), 375A (Tc) |