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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão APT18M80B
VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
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Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-247 [B] |
Série | POWER MOS 8™ |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 530 mOhm @ 9A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 500W (Tc) |
Embalagem | Tube |
Caixa / Gabinete | TO-247-3 |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 8 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3760pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 800V |
Descrição detalhada | N-Channel 800V 19A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247 [B] |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 19A (Tc) |