A etiqueta e a marcação corporal do DMG8N65SCT podem ser fornecidas após o pedido.
Disponível: 56375
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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão DMG8N65SCT
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-220AB |
Série | Automotive, AEC-Q101 |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 1.3 Ohm @ 4A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 125W (Tc) |
Embalagem | Cut Tape (CT) |
Caixa / Gabinete | TO-220-3 |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 22 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS | Contains lead / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1217pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 650V |
Descrição detalhada | N-Channel 650V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |