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Disponível: 56732
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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão 2N7000-D26Z
VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-92-3 |
Série | - |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 400mW (Ta) |
Embalagem | Cut Tape (CT) |
Caixa / Gabinete | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Outros nomes | 2N7000-D26ZCT 2N7000_D26ZCT 2N7000_D26ZCT-ND |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 6 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4.5V, 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 60V |
Descrição detalhada | N-Channel 60V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
Número da peça base | 2N7000 |