Disponível: 56371
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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão NSVMUN5213DW1T3G
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 50V |
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Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Tipo transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Série | - |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Power - Max | 250mW |
Embalagem | Cut Tape (CT) |
Caixa / Gabinete | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Outros nomes | NSVMUN5213DW1T3GOSCT |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 40 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frequência - Transição | - |
Descrição detalhada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Atual - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atual - Collector (Ic) (Max) | 100mA |