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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão EPC2815
Tensão - Teste | 1200pF @ 20V |
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Tensão - Breakdown | Die |
VGS (th) (Max) @ Id | 4 mOhm @ 33A, 5V |
Vgs (Max) | 5V |
Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
Série | eGaN® |
Status de RoHS | Cut Tape (CT) |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 33A (Ta) |
Polarização | Die |
Outros nomes | 917-1036-1 |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Número de peça do fabricante | EPC2815 |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 11.6nC @ 5V |
Tipo de IGBT | +6V, -5V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5V @ 9mA |
Característica FET | N-Channel |
Descrição expandida | N-Channel 40V 33A (Ta) Surface Mount Die |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | - |
Descrição | TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 40V |
Rácio de capacitância | - |