Disponível: 51448
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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão SIHP22N60E-GE3
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Série | E |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 180 mOhm @ 11A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 227W (Tc) |
Embalagem | Cut Tape (CT) |
Caixa / Gabinete | TO-220-3 |
Outros nomes | SIHP22N60E-GE3CT SIHP22N60E-GE3CT-ND |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1920pF @ 100V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 600V |
Descrição detalhada | N-Channel 600V 21A (Tc) 227W (Tc) Through Hole |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |