Disponível: 50489
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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão IRFH5007TR2PBF
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | 8-PQFN (5x6) |
Série | HEXFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 5.9 mOhm @ 50A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) |
Embalagem | Original-Reel® |
Caixa / Gabinete | 8-PowerTDFN |
Outros nomes | IRFH5007TR2PBFDKR |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4290pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 98nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 75V |
Descrição detalhada | N-Channel 75V 17A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 17A (Ta), 100A (Tc) |