Disponível: 59060
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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão IRFH5025TR2PBF
VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 150µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | 8-PQFN (5x6) |
Série | HEXFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 100 mOhm @ 5.7A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) |
Embalagem | Cut Tape (CT) |
Caixa / Gabinete | 8-PowerVDFN |
Outros nomes | IRFH5025TR2PBFCT |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2150pF @ 50V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 250V |
Descrição detalhada | N-Channel 250V 3.8A (Ta) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 3.8A (Ta) |