CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIPD35N12S3L24ATMA1
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IPD35N12S3L24ATMA1
- Mega fonte #: MEGA-IPD35N12S3L24ATMA1
- Fabricante: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
- Embalagem: Digi-Reel®
- Descrição: MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3
- ROHS compatível: Sem chumbo / acordo com RoHS
- Datasheet:
Nossa certificação
Inquérito Rápido
Disponível: 55037
Descrição do produto
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Especificações
Componentes de circuito integrado de embalagem padrão IPD35N12S3L24ATMA1
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 39µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | PG-TO252-3 |
| Série | OptiMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 24 mOhm @ 35A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 71W (Tc) |
| Embalagem | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Outros nomes | IPD35N12S3L24ATMA1DKR |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4.5V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 120V |
| Descrição detalhada | N-Channel 120V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
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IPD35N12S3L24ATMA1 FAQ
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Leitura do comprador
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