Disponível: 58706
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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão C3M0065090J
VGS (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 5mA |
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Vgs (Max) | +19V, -8V |
Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | D2PAK-7 |
Série | C3M™ |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 78 mOhm @ 20A, 15V |
Dissipação de energia (Max) | 113W (Tc) |
Embalagem | Tube |
Caixa / Gabinete | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 52 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 600V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 15V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 15V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 900V |
Descrição detalhada | N-Channel 900V 35A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount D2PAK-7 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |