A etiqueta e a marcação corporal do IRFR18N15DTRR podem ser fornecidas após o pedido.
Disponível: 58794
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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão IRFR18N15DTRR
Tensão - Teste | 900pF @ 25V |
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Tensão - Breakdown | D-Pak |
VGS (th) (Max) @ Id | 125 mOhm @ 11A, 10V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Série | HEXFET® |
Status de RoHS | Tape & Reel (TR) |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 18A (Tc) |
Polarização | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Número de peça do fabricante | IRFR18N15DTRR |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 43nC @ 10V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5V @ 250µA |
Característica FET | N-Channel |
Descrição expandida | N-Channel 150V 18A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | - |
Descrição | MOSFET N-CH 150V 18A DPAK |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 150V |
Rácio de capacitância | 110W (Tc) |