Disponível: 53532
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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão EMD2FHAT2R
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | - |
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Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Tipo transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | EMT6 |
Série | Automotive, AEC-Q101 |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 22 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Power - Max | 150mW |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | SOT-563, SOT-666 |
Outros nomes | EMD2FHAT2RTR |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 7 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frequência - Transição | 250MHz |
Descrição detalhada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
Atual - Collector Cutoff (Max) | - |
Atual - Collector (Ic) (Max) | 100mA |