Disponível: 55488
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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão EMD30T2R
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 50V, 30V |
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Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Tipo transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | EMT6 |
Série | - |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms, 1 kOhms |
Power - Max | 150mW |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | SOT-563, SOT-666 |
Outros nomes | EMD30T2R-ND EMD30T2RTR |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frequência - Transição | 250MHz, 260MHz |
Descrição detalhada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V, 30V 100mA, 200mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V |
Atual - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atual - Collector (Ic) (Max) | 100mA, 200mA |
Número da peça base | *MD30 |