CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tendeEMD3T2R
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EMD3T2R
- Mega fonte #: MEGA-EMD3T2R
- Fabricante: LAPIS Technology
- Embalagem: Tape & Reel (TR)
- Descrição: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
- ROHS compatível: Sem chumbo / acordo com RoHS
- Datasheet:
Nossa certificação
Inquérito Rápido
Disponível: 54138
Descrição do produto
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Especificações
Componentes de circuito integrado de embalagem padrão EMD3T2R
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 50V |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Tipo transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | EMT6 |
| Série | - |
| Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Power - Max | 150mW |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | SOT-563, SOT-666 |
| Outros nomes | EMD3T2R-ND EMD3T2RTR |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 10 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição | 250MHz |
| Descrição detalhada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Atual - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Número da peça base | *MD3 |
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EMD3T2R FAQ
- FNossos produtos de boa qualidade são?Existe garantia de qualidade?
- QNossos produtos através de triagem estrita, para garantir que os usuários comprem produtos genuínos e garantidos, se houver problemas de qualidade, podem ser retornados a qualquer momento!
- FAs empresas da MEGA SOURCE são confiáveis?
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