Disponível: 56481
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Componentes de circuito integrado de embalagem padrão FDFME2P823ZT
VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±8V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | 6-MicroFET (1.6x1.6) |
Série | PowerTrench® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 142 mOhm @ 2.3A, 4.5V |
Dissipação de energia (Max) | 1.4W (Ta) |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | 6-UFDFN Exposed Pad |
Outros nomes | FDFME2P823ZT-ND FDFME2P823ZTTR |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 405pF @ 10V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 4.5V |
Tipo FET | P-Channel |
Característica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 1.8V, 4.5V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 20V |
Descrição detalhada | P-Channel 20V 2.6A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (1.6x1.6) |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 2.6A (Ta) |